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Boa qualidade superfície de montagem transistor SMD Triode

Informação básica

Modelo:  xuhai023

Descrição do produto

Função: Triodo de Poder Material: Silício Temperatura de trabalho: -55ºC ~ 150ºC Qualidade: Alta Quanlity Aplicação: Classificação de uso geral de H Fe (1): 160-300 Coletor Corrente -Continua: 1.5A Especificação: Tamanho personalizado Certificação: RoHS Instalação: SMD Triode Nível de potência: Alta potência Estrutura: Alloy DC Ganho atual: 200-350 Coletor-Base Tensão de ruptura: 40V Envio por: FedEx DHL TNT UPS Power: Midlle Power Tube Emitter-Base Tensão: 5V Marca: Xuhai Origem: Guangdong, China (continente) CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS (TA = 25ºC, salvo indicação em contrário)

Symbol

Parameter 

Value 

Units 

VCBO

Collector-Base Voltage

40

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

25

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current -Continuous

1.5

A

PC

Collector Power Dissipation

0.625

W

Tj

Junction Temperature

150

ºC

Tstg

Storage Temperature

-55-150

ºC


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tamb = 25ºC, salvo indicação em contrário)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN (     )

TYP (     )

MAX (     )

UNIT (    )

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

IC= 100μA, IE=0

40

    

 

V

Collector-emitter breakdown voltage 

V(BR)CEO

IC= 1mA, IB=0

25

 

 

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

IE=100μA, IC=0

5

 

 

V

Collector cut-off current

ICBO

VCB=20 V , IE=0

 

 

1

μA

Collector cut-off current

ICEO

VCE=15V , IB=0

 

 

10

μA

Emitter cut-off current

IEBO

VEB=5V , IC=0

 

 

1

μA

DC current gain

hFE

VCE=1V, IC= 100mA

     80

 

400

 

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

IC=800mA, IB= 80mA

 

 

0.5

V

Base-emitter saturation voltage 

VBE(sat)

IC=800mA, IB= 80mA

 

 

1.2

V



Good Quality Surface Mount Transistor SMD Triode
Good Quality Surface Mount Transistor SMD Triode

Good Quality Surface Mount Transistor SMD Triode

Grupo de Produto : Transistor > Tríodo

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