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Triode de alta qualidade com baixo preço

Informação básica

Modelo:  triode

Descrição do produto

Função: Potência Triode Material: Silício Temperatura de trabalho: -55ºC ~ 150ºC Qualidade: Alta Quanlity Aplicação: Uso Geral Classificação de H Fe (1): 160-300 Coletor Corrente -Continua: Pacote de transporte 1.5A: Embalagem de caixa (50cm * 32cm * 32cm) Origem: Guangdong, China (continente) Certificação: RoHS Instalação: SMD Triode Nível de potência: Alta Potência Estrutura: Alloy DC Current Gain: 200-350 Collector- Tensão de ruptura de base: 40V Envio por: FedEx Energia de UPS de DHL TNT: Tensão de Emitter-Base do tubo de poder de Midlle: 5V Marca registrada: Xuhai Especificação: Tamanho personalizado CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS (TA = 25ºC a menos que indicado de outra maneira)

Symbol

Parameter 

Value 

Units 

VCBO

Collector-Base Voltage

40

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

25

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current -Continuous

1.5

A

PC

Collector Power Dissipation

0.625

W

Tj

Junction Temperature

150

ºC

Tstg

Storage Temperature

-55-150

ºC


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tamb = 25ºC, salvo indicação em contrário)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN (     )

TYP (     )

MAX (     )

UNIT (    )

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

IC= 100μA, IE=0

40

    

 

V

Collector-emitter breakdown voltage 

V(BR)CEO

IC= 1mA, IB=0

25

 

 

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

IE=100μA, IC=0

5

 

 

V

Collector cut-off current

ICBO

VCB=20 V , IE=0

 

 

1

μA

Collector cut-off current

ICEO

VCE=15V , IB=0

 

 

10

μA

Emitter cut-off current

IEBO

VEB=5V , IC=0

 

 

1

μA

DC current gain

hFE

VCE=1V, IC= 100mA

     80

 

400

 

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

IC=800mA, IB= 80mA

 

 

0.5

V

Base-emitter saturation voltage 

VBE(sat)

IC=800mA, IB= 80mA

 

 

1.2

V



High Quality Triode with Low Price
High Quality Triode with Low Price

High Quality Triode with Low Price

Grupo de Produto : Transistor > Tríodo

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